┄┄┄详细介绍┄┄┄

 HBM ESD 优于5KV1. 概述
        PT2021W 是一款电容式触摸控制 ASIC，支持一通道触摸输入，一通道三段 LED 输出，具有低功耗、 高抗干扰、宽工作电压范围、高穿透力的突出优势。
2. PT2021W 主要特性
 工作电压范围：2.4~5.5V
 待机电流约 9uA@VDD=5V&CMOD=10nF
 单通道触摸输入
 内置稳压源、上电复位和低压复位等硬件模块
 内置实时环境自适应、高效数字滤波等软件算法
 抗电源纹波能力强，可抵抗<0.5V 的电源纹波，不影响芯片正常工作，不误动  抗 RF 干扰能力强，同类型产品中，抗对讲机等大功率 RF 发射设备的干扰时具有优异表现
 HBM ESD 优于 5KV
3.PT2021W  封装及引脚说明

NO.	管脚名称	I/O	描述
1	TCH	I	触摸输入脚
2	VSS	P	电源负
3	CMOD	O	采样电容输入脚
4	OPT	I	模式设置脚
5	VDD	P	电源正
6	OUT	O	LED 输出脚

4.PT2021W  功能介绍
 TCH 触摸输入对应 OUT LED 输出有两种模式可选，由 OPT 管脚上电前的输入状态来决定。 具体如下：
 OPT 接 VDD 或悬空：对应 LED 三段触控调光顺序：高(100%)->中(40%)->低(10%)->灭  OPT 接 VSS ：对应 LED 三段触控调光顺序：低(10%)->中(40%)->高(100%)->灭
 初始上电时，LED 为关灭状态。  每次触摸 TCH，OUT 输出会依据所选择的调光模式，按照所对应的调光顺序依次循环变化。
5.PT2021W 应用电路


注意： 当介质材料及厚度等差异较大时，可通过调整 CMOD 与 GND 之间的 Cm 电容来调节触摸灵敏度。 电容容值越大，灵敏度越高；电容容值越小，灵敏度越低。以下数据仅供参考，具体以实际为准。
表 2 CMOD 采样电容

介质类型	CMOD采样电容
	器件类型	器件参数
直接触摸金属外壳	333 NPO电容	33nF/25V
3mm 以内亚克力玻璃	103 NPO电容	10nF/25V
3-6mm 亚克力玻璃	203 NPO电容	20nF/25V
6-10mm 亚克力玻璃	473 NPO电容	47nF/25V

6.1 PT2021W电气特性极限参数

参数	标号	条件	范围	单位
供电电压	VDD		-0 to +6.0	V
输入电压	VI	所有 I/O口	-0.3 to VDD + 0.3	V
工作温度	TA		-20 to + 70	℃
储藏温度	TSTG		-40 to + 125	℃

6.2 直流特性

7. 封装尺寸图

 

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