- HTD5832C 内置译码器的 2.5A 低噪声步进电机驱动芯片
- NS6119/A 100V 输入 1.5A 输出异步降压稳压器
- PL3050 20V, 10A, Synchronous Boost Conv
- HTN7922,HTN7921 4.0V~30V输入,2A/1.2A同步降压变换器
- HTC6221高效异步升压型1.2A双节锂电池充电器
- HTN78A5 6V~100V输入,5A实地异步降压变换器
- HTR7072 带自动呼吸功能的6x12阵列LED 驱动器
- HTR7054 带自动呼吸功能的6x9阵列LED 驱动器
- HTR7108 带自动呼吸功能的9x12阵列LED 驱动器
- HTR7036 带自动呼吸功能的3x12阵列LED 驱动器
- NS2160H 单/双节锂电池充电管理 IC
- NS2156E 1.5A 线性锂离子电池充电管理 IC
- NS4190X 系列 单声道 AB 类音频功率放大器
- NS8003 单声道 AB 类音频功率放大器
电路中底噪产生的原因
1、电路的本底噪声的定义:
电路的本底噪声是指在没有输入信号时,电路自身所产生的固有电噪声,它由电路中的各种元件如电阻、晶体管等内部的热噪声、散粒噪声等多种噪声源共同作用形成,是限制电路最小可检测信号电平的重要因素。
2、电路本底噪声的组成
电路的本底噪声包括以下成分:
• 散粒噪声(Shot Noise)
• 由离散电荷(如电子)通过势垒(如PN结)的随机性引起,常见于半导体器件。 公式:In=2qIDCBIn=2qIDCB(qq为电子电荷,IDCIDC为直流电流)。
• 闪烁噪声(1/f 噪声)
• 低频噪声,功率谱密度与频率成反比,常见于晶体管和碳膜电阻。
• 环境干扰
• 外部电磁干扰(EMI)、电源噪声、接地环路噪声等。
3、 热噪声的基本原理
热噪声(又称约翰逊-奈奎斯特噪声)是由导体中电荷载流子(如电子)的随机热运动引起的。它是所有电阻性元件(如电阻、导线、半导体器件等)固有的物理现象,即使没有外加电压也会存在。 4、关键公式 噪声电压:
Vn=4kTRBVn=4kTRB
1. k:玻尔兹曼常数(1.38×10−23 J/K1.38×10−23J/K)
2. TT:绝对温度(单位:K)
3. RR:电阻值(单位:Ω)
4. BB:系统带宽(单位:Hz)
1. 噪声功率:
Pn=kTBPn=kTB (与电阻无关,仅取决于温度和带宽)
5、 热噪声的特性
1. 高斯分布:噪声幅值服从高斯分布,频谱平坦(“白噪声”)。
2. 与温度相关:温度越高,噪声越大。
3. 与带宽相关:系统带宽越宽,总噪声越大。
4. 与电阻相关:电阻值越大,噪声电压越高(但噪声功率相同)。
6. 热噪声在电路中的影响
信号链极限:热噪声决定了模拟电路(如放大器、ADC)的最小可检测信号。
高频系统:在宽带系统(如射频电路)中,热噪声影响更显著。
低噪声设计:需通过选择低噪声元件、降低温度(如制冷)、限制带宽等方 式优化。
7、如何降低热噪声的影响
• 降低温度:例如使用液氮制冷(极端情况),或优化散热设计。
• 减小电阻值:选择低阻值电阻或并联电阻(需权衡功耗)。
• 限制带宽:通过滤波器限制系统带宽至所需最小范围。
• 选择低噪声器件:如金属膜电阻(热噪声低)、低噪声运放。
• 优化电路布局:减少寄生电阻和电感,避免引入额外噪声。
8、实例分析
假设一个电阻 R=1 kΩR=1kΩ,温度 T=300 KT=300K,带宽 B=1 MHzB=1MHz: Vn=4×1.38×10−23×300×1000×106≈4.07 nV/√Hz×106=4.07 μVVn=4×1.38×10−23×300×1000×106≈4.07nV/√Hz×106=4.07μV 在示波器或频谱仪上可观察到这一量级的噪声。
上一篇:音响的层次感与厚实感
下一篇:D类功放高音毛糙的原因