- ET7428 1Ω Dual SPDT Negative Signal Handing Analog Switch
- ET7222 High-Speed USB 2.0(480Mbps) Switch
- ET5228H 0.6Ω Dual SPDT Negative Signal Handing Analog Switch
- ET5223 0.5Ω Dual SPDT Analog Switch
- HTR6916 共阴极16x9阵列LED 驱动器
- HTR7198(S), HTR7144(S) 带自动呼吸功能的18x
- PL62010 集成升降压控制器及双向PD3.0等多种快
- RY6050-ADJ Series 500mA Adjustable High-Speed Low Power LDO
- RY6050 Series 500mA High PSRR, Low Noise, Low Power LDO
- RY6313 40V 150mA Low Power LDO
- RY6031 300mA High PSRR, Low Noise, Low Power LDO
- RY8337C 36V 3A 500KHz Synchronous Step-Down Regulator
- RY8337B 30V 3A 500KHz Synchronous Step-Down Regulator
- RY8337 38V 3.3A 500KHz Synchronous Step-Down Regulator
多芯片集成终于在隔离型DC-DC转换器中实现
隔离型DC-DC转换器历来通过分立元件实施-分立驱动IC和分立功率MOSFET。这些器件被用于各种拓扑结构。最主要的是“半桥”和“全桥”。
许多云基础设施的应用采用半桥和全桥拓扑结构,如无线基站(远程无线电单元)、电源模块和任何板载隔离型DC-DC转换器。其他应用包括工业领域,如电机驱动器、风扇和暖通空调(HVAC)。这些应用的设计工程师力求降低整体方案的大小或增加输出功率。
安森美半导体的FDMF8811是业界首款100 V桥式功率级模块,优化用于全桥和半桥拓扑。FDMF8811以高能效和高可靠性水平提供更高的功率密度。
与分立方案相比,FDMF8811可减少一个典型的全桥方案约三分之一的PCB面积。这令制造商设计更紧凑、高能效的产品。物料单(BOM)器件的数量也显着减少,实现供应链和装配的高效。
如果PCB面积不是问题,那FDMF8811可有助于在现有的PCB面积内提高设计的输出功率。例如,这可通过从现有的、本来低功率拓扑结构,如有源钳位正激、反激式或推拉式,转为采用FDMF8811的半桥或全桥拓扑来实现。另一个例子是现有的采用分立MOSFET的半桥方案可以转换为在相同的占板面积内的一个全桥拓扑。这种转换使系统的输出功率加倍。
FDMF8811集成了一对100V的功率MOSFET、120 V驱动器IC和一个自举二极管到6.0 mm x 7.5 mm 的PQFN封装。
通过集成所有的关键动力传动元件,安森美半导体已经能优化该模块的驱动器和MOSFET的动态性能、系统寄生电感和功率MOSFET的导通电阻RDS(ON),从而保持尽可能最高的能效。该集成显著降低了供电回路的寄生效应。这大大降低电压应力和电磁干扰(EMI),提高系统的可靠性。
采用FDMF8811的隔离型DC-DC转换器被充分优化,以在最佳能效水平达到最高的功率密度。有了高度集成的、高性能的FDMF8811,实在没有理由再使用分立器件!


