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13W单声道D类音频放大器VA2108
产品名称:13W单声道D类音频放大器VA2108
型号: VA2108
产片介绍:VA2108是一款低成本 高功率D级单声道音频功率放大器,可在多种电源中工作。VA2108提供具有36dB固定增益设置的音量控制。VA2108可输出13W到4Ω负载,供电电流小,外部元件少,可直接驱动桥接单声道扬声器。
免电感滤波2*20W D类立体声音频功放HT368
产品名称:免电感滤波2*20W D类立体声音频功放HT368
型号: HT368
产片介绍: HT368 是一款高效D 类音频功率放大器。在14 5V供电的立体声(BTL)模式下,能够持续提供2*20W 4Ω功率输出;在单声道(PBTL)模式下,能够持续提供30W 4Ω功率输出。 HT368具...
NS4801 恒输入电流式-开关型锂电池充放电管理IC
产品名称:NS4801 恒输入电流式-开关型锂电池充放电管理IC
型号: NS4801
产片介绍: 是一款集成降压转换器、锂电池充电管理和电池状态显示的多功能电源管理IC,能够为便携式锂电池充电提供完整的解决方案。芯片的高度集成度和内置多重功能,使其在应用时仅需极少的外围器件,并有...
NS4115 1A 内置功率管 LED 恒流驱动器
产品名称:NS4115 1A 内置功率管 LED 恒流驱动器
型号: NS4115
产片介绍:NS4115 是一款外围电路简单的连续电流模式的降压型 LED 恒流驱动芯片。在输入电压高于 LED电压时,可以有效地用于驱动一颗或者多颗串联LED。输出电流可调,最大可达 1A。适用于 3-36V 电压...
9V, 8A异步升压转换器HT8905
产品名称:9V, 8A异步升压转换器HT8905
型号: HT8905
产片介绍:HT8905是一款采用CMOS工艺的升压转换器,内部集成了60mΩ,8A功率开关管。 HT8905具有2 5V至8 5V的输入电压范围,可为采用单节或两节锂电池的应用提供支持。该器件具备8A开关电流能力,并且能够提供最9V的输出电压。
HT8787B 可任意限幅、内置自适应升压的2X9.0W立体声音频功放
产品名称:HT8787B 可任意限幅、内置自适应升压的2X9.0W立体声音频功放
型号: HT8787B
产片介绍:HT8787B是一款内置自适应升压的立体声D类音频功率放大器, 由锂电池供电升压至VPOUT=8 4VTHD+N=1%、1kHz信号条件下,能连续输出2×7W功率(4Ω负载)。
MCU 8 位单片机开发烧录TB8P50S08
产品名称:MCU 8 位单片机开发烧录TB8P50S08
型号: TB8P50S08
产片介绍:8位CPU 内核  精简指令集  高频模式下2T 4T 8T 16T 可设;低频工作模式下为4T  程序存储器空间  2K*16 程序存储器空间(OTP),烧写1 次
MCU 8 位单片机开发烧录TB8P30S14
产品名称:MCU 8 位单片机开发烧录TB8P30S14
型号: TB8P30S14
产片介绍:1 产品概要1 1 产品特性 8 位CPU 内核 精简指令集,5 级深度硬件堆栈 CPU 为单时钟,仅在系统主时钟下运行 系统主时钟下FCPU 可配置为2 4 分频 存储器 1K×14 位O
MCU 8 位单片机开发烧录TB8P30T23
产品名称:MCU 8 位单片机开发烧录TB8P30T23
型号: TB8P30T23
产片介绍: 本芯片指令集为精简指令集。除程序跳转类指令,其余指令均为单周期指令,即执行时间为1 个指 令周期;所有指令均为单字指令,即指令码只占用1 个程序存储器地址空间。
 MCU 8 位单片机开发烧录芯片TB8P20T23
产品名称: MCU 8 位单片机开发烧录芯片TB8P20T23
型号: TB8P20T23
产片介绍: 本芯片指令集为精简指令集。除程序跳转类指令,其余指令均为单周期指令,即执行时间为1 个指 令周期;所有指令均为单字指令,即指令码只占用1 个程序存储器地址空间。
HT8312 防削顶失真功能,内置电荷泵升压音频功放
产品名称:HT8312 防削顶失真功能,内置电荷泵升压音频功放
型号: HT8312
产片介绍:HT8312 是一款D 类音频功率放大器, 在VBAT=4 2V、THD+N=10%,4Ω负载条件下能连续输出5 2W功率。该D类功放的电源电压由内置的自适应电荷泵升压模块提供。该升压模块在低功率时不升压,可有效提升电池的播放时间。
NS2582 同步升压双节锂电池充电管理 IC
产品名称:NS2582 同步升压双节锂电池充电管理 IC
型号: NS2582
产片介绍:NS2582 是一款支持 4-5 5V 输入电压范围,最大输出为 2A 电流的同步升压双节锂电池充电管理芯片。芯片内部集成了极低导通电阻的 MOSFETS,以实现较高的充电效率,芯片只需要极少数的外围器件。
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