- HT77221 HT77211 4.0V~30V输入,2A/1.2A同步降压变换器
- NS4117X 系列 外置 MOS 管开关降压型 LED 恒流控制器
- HT71663 13V,12A全集成同步升压转换器
- HT71763 20V,15A全集成同步升压转换器
- NS2160 同步开关型降压锂电池充电管理 IC
- HT7702 2.5~5.5V输入,2A同步降压变换器
- HT77231 4.0V~28V输入,3.5A同步降压变换器
- AT2401C 射频2.4GHzPA发射接收芯片
- HT3166 免电感滤波2×30W AB/D类音频功放
- HT81298 内置升压的10W立体声D类音频功放
- HT71778 实时音频信号跟踪的18V, 15A全集成同
- HT97226 160mW免输出耦合电容的立体声耳机放大器
- HT71782 20v 15a 同步升压芯片
- HT78621 60V输入,3.5A开关限流降压变换器
MOS管的基本参数
MOS管的基本参数,大家熟悉的必然是Ids电流,Ron导通电阻,Vgs的阈值电压,Cgs、Cgd、Cds这几项,然而在高速应用中,开关速度这个指标比较重要。
上图四项指标,第一项是导通延时时间,第二项是上升时间,第三项是关闭延时时间,第四项是下降时间。定义如下图:
在高速H桥应用中,MOS管内部的反向并联寄生二极管的响应速度指标Trr,也就是二极管的反向恢复时间这个指标很重要,否则容易炸机,下图为高速二极管。
高速下,二极管也不是理想的,二极管导通后,PN节中充满了电子和空穴,当瞬间反向加电的时候,需要时间恢复截止,这个类似一扇门打开了,需要时间关上,但在高速下,这个关上的时间太长,就会导致H桥上下管子导通而烧坏。所以在高速应用中,直接因为MOS管工艺寄生的二极管的反向恢复时间太长,所以需要用特殊的工艺制作实现高速的内置二极管,但哪怕特殊工艺制作的,其性能也达不到独立的高速二极管性能,只是比原MOS管寄生的指标强一些而已,但已经满足大部分软开关的需求了,500KHz下没问题。比如Infineon的C6系列,后缀带CFD的管子,内部的二极管就是高速的。
若有些场合需要更高速的二极管,而内置的二极管性能达不到,则需要特殊的处理方式,MOS管先串联二极管,再外部并二极管,这样子实现,可以应用于频率超过500KHz的场合。
上一篇:如何在小型音响中突破散热、成本的限制提升功率
下一篇:电子元器件封装有哪些?