内置MOS管TP8350、TP8356升压芯片驱动大电流方案

典型应用电路：

输入电源为锂电池（3.2v≤Vin≤4.2v）

1．驱动负载150mA≤Io≤500mA

（1）TP8350典型应用电路

   

锂电池输入条件下TP8350驱动大负载电路

 

建议各器件参数L=47uH（内阻<0.1ohm），Cin=47uF（实际应用中可不接该电容），

Diode=1N58171N58181N5819，

Cout为20uF电解电容（或20uF胆电容串联0.5欧姆电阻）和0.1uF陶瓷电容并联。

驱动400mA负载下，效率高于80%

（2）TP8356典型应用电路

锂电池输入条件下TP8350驱动大负载电路

建议各器件参数L=100uH（内阻<0.1ohm），Cin=47uF（实际应用中可不接该电容），

Diode=1N58171N58181N5819，

Cout为20uF电容（不分电解电容、胆电容）串联0.5欧姆电阻和0.1uF陶瓷电容并联。

驱动400mA负载下，效率高于80%

 

2．  驱动负载Io<150mA时

       TP8350、TP8356外围器件参数参照TP83规格书中典型应用电路的参数。

 

注意：TP8350、TP8356应用中陶瓷电容0.1uF~1uF必须接上，并且靠近芯片输出端。